Приведена классификация и анализируются характеристики, а также физические основы функционирования активных элементов, применяющихся в СВЧ-передающих трактах аппаратуры систем мобильной связи и радиодоступа (MOSFET, LDMOS, MESFET, HEMT(MODFET), PHEMT, BJT, HBT). Рассмотрены их модели в режимах усиления малых и больших сигналов в виде четырехполюсников, а также эквивалентные схемы. Основы проектирования согласующих устройств, цепей питания и суммирования мощностей рассмотрены применительно к элементной базе - как на сосредоточенных элементах, так и на микрополосковых линиях передачи. Даны математические основы современных средств автоматизированного проектирования и исследования нелинейных СВЧ-схем с транзисторами: временной анализ, метод гармонического баланса и теория рядов Вольтерры. Анализируются классы и режимы работы усилителей мощности в высокочастотном усилительном тракте, а также способы их оптимизации.